انگارً زمان‌بندی تشکیل زیاد اگزینوس ۲۶۰۰، اولین تراشه‌ای که بر پایه لیتوگرافی ۲ نانومتری سامسونگ ساخته می‌بشود، برای ماه نوامبر (آبان و آذر) نهایی شده است.

به نقل از منبع کره‌ای، تصمیم سامسونگ تنها چهار ماه بعد از انتصاب هان جین-مان به‌گفتن رئیس قسمت کسب‌وکار Foundry (تشکیل قراردادی) اتخاذ می‌بشود. هان بعد‌از اغاز فعالیتش، در پیامی بر بهبود بازده تشکیل پافشاری کرده می بود و اکنون به‌نظر می‌رسد کوششهایش به بار نشسته‌اند.

هان بعد‌از به‌دست‌گرفتن هدایت قسمت Foundry، حالت عملیاتی تیم اختصاصی فرایند ۲ نانومتری حاضر و راه حلهای مدیریت خطوط تشکیل را مورد بازبینی قرار داد.

هان برای ترقی رقابت‌پذیری شرکت، ابتدا استراتژی فروش را اصلاح کرد. مدیر تازه سامسونگ شرکای شرکت را در بازارهای متنوعی نظیر چین، هند و اروپا گسترش داد تا خواست‌ها برای لیتوگرافی‌های بالغ (قدیمی‌تر)، افت هزینه‌های ثابت ملزوم برای فعال‌نگه‌داشتن کارخانه‌های تشکیل و در نتیجه، ضمانت قیمت رقابتی برای فرایندهای پیشرفته میسر بشود.

سامسونگ در لیتوگرافی ۲ نانومتری خود از فناوری «گیت در هر طرف» (GAA) منفعت می‌گیرد. این ساختار که در آن ترانزیستورِ حامل جریان از چهار طرف احاطه می‌بشود، تکنولوژی گسترش یافتهتری نسبت‌به FinFET به حساب می‌آید.

ساختار GAA با افزایش کارکرد تراشه و افت هم‌زمان مصرف انرژی، برای تشکیل تراشه‌های پرقدرت مزیت دارد. غول فناوری کره‌ای پیش‌تر به‌گفتن اولین شرکت در جهان موفق به تشکیل زیاد تراشه‌های ۳ نانومتری با فناوری GAA شده می بود؛ اما بازده پایین، مانع تشکیل زیاد شد.

باتوجه‌به تعیین ماه نوامبر به‌گفتن زمان اغاز تشکیل زیاد اگزینوس ۲۶۰۰، نگاه‌ها به این نوشته معطوف خواهد شد که آیا سامسونگ می‌تواند شتاب ملزوم برای جهش مجدد در کسب‌وکار تراشه‌سازی خود را تشکیل کند یا خیر.

اگر اگزینوس ۲۶۰۰ بدون مشکل در گلکسی S26 منفعت گیری بشود، می‌تواند حالت قسمت تراشه‌های سامسونگ را بهبود ببخشد.