سامسونگ به بازده ۴۰ درصد در تراشههای ۲ نانومتری رسید؛ تولید انبوه اکسینوس ۲۶۰۰ از نوامبر آغاز میشود, سامسونگ ظاهریاً در فرآیند تولید تراشههای ۲ نانومتری خود به نرخ بازده ۴۰ درصد دست یافته است؛ پیشرفتی که مسیر را برای تولید انبوه اولین پردازنده مبتنی بر این لیتوگرافی، یعنی اکسینوس ۲۶۰۰، هموار کرده است.

بر اساس گزارشهای منتشر شده از رسانههای کرهای، زمانبندی آغاز تولید انبوه این تراشه برای ماه نوامبر (همزمان با آبان و آذر) تعیین شده است.نقش هان جین-مان در تغییر مسیر بیزینس فاندری سامسونگاین تحولی استراتژیک تنها چهار ماه پس از انتصاب هان جین-مان به عنوان رئیس بخش فاندری (تولید قراردادی) سامسونگ محقق شده است.

ایشان از همان روزهای اول بر لزوم بهبود نرخ بازده تولید تأکید داشت و اکنون نتایج تلاشهای تیم فنی تحت مدیریت او نمایان شده است.هان جین-مان بلافاصله پس از استقرار، تیم اختصاصی فرآیند ۲ نانومتری و راهکارهای مدیریت خطوط تولید را به دقت بازبینی کرد. او در موازی، استراتژی فروش را بازنگری کرده و شرکای فاندری سامسونگ را در بازارهای متنوعی چون چین، هند و اروپا گسترش داد.

ی GAA؛ کلید عملکرد و کارایی تراشههای ۲ نانومتریسامسونگ در نود ۲ نانومتری خود از معماری گیت در هر طرف ( یا GAA) بهره میبرد.

در این ساختار، ترانزیستور حامل جریان از چهار طرف احاطه شده است که نسبت به تکنولوژی پیشرفت قابلتوجهی محسوب میشود. معماری GAA با افزایش عملکرد تراشه و همزمان کاهش مصرف انرژی، مزیتهای ی برای تولید پردازندههای قدرتمند و کارا فراهم میکند.سامسونگ پیش از این اولین شرکت جهان بود که موفق به تولید انبوه تراشههای ۳ نانومتری با فناوری GAA شد، اما نرخ بازده پایین در آن زمان مانع از ادامه تولید مقیاس وسیع گردید.

دستیابی به بازده ۴۰ درصد در نود ۲ نانومتری نشاندهنده بلوغ فرآیند و آمادگی برای ورود به فاز تولید تجاری است.اکسینوس ۲۶۰۰ و آینده سری گلکسی با تعیین ماه نوامبر برای آغاز تولید انبوه اکسینوس ۲۶۰۰، تمام نگرانیها بر روی این متمرکز شده که آیا سامسونگ میتواند شتاب لازم برای جهش مجدد در کسبوکار تراشهسازی خود را ایجاد کند یا خیر.

ه دگرگون گردد.